在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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新华社北京2月28日电 （记者孙少龙）二十届中央纪委五次全会工作报告2月28日全文公布。报告显示，2025年，中央纪委国家监委立案审查调查金湘军、蓝天立、王莉霞、毕井泉、齐扎拉、蒋超良、刘慧、易会满等中管干部181人。
‘공천헌금’ 의혹 강선우·김경 동시 구속…“증거 인멸 염려”
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